საკვანძო სიტყვების ძებნა

  • Main
  • საკვანძო სიტყვების ძებნა
1
Сорбционные процессы при взаимодействии заряженных частиц с поверхностями твердых тел [Текст]

Сорбционные процессы при взаимодействии заряженных частиц с поверхностями твердых тел [Текст]

Арифов У.
ионов
газа
мишени
атомов
десорбции
сорбции
газов
энергии
ионной
пленки
кэв
рис
частиц
количество
поверхности
бомбардировке
пленок
phys
бомбардирующих
скорость
инертных
металлов
проникновения
энергия
энергией
бомбардировки
количества
диффузии
сорбированных
десорбция
сорбированного
откачки
внедрения
кривые
мишень
распыления
ионы
ионами
температуры
тор
поглощения
зависимости
помощью
давления
связи
зависимость
по­
внедренных
значения
ных
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 9.60 MB
0 / 0
russian
2
Физическая кинетика

Физическая кинетика

К. А. Финников.
წელი:
2013
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 4.98 MB
0 / 0
russian, 2013
3
Физика воздействия ионных пучков на материалы

Физика воздействия ионных пучков на материалы

Бажин А.И. Плешивцев Н.В.,
ენა:
russian
ფაილი:
ZIP, 35.84 MB
0 / 0
russian
4
Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Неразрушающие методы контроля процессов осаждения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций

Элионная технология в микро- и наноиндустрии. Неразрушающие методы контроля процессов осаждения и травления наноразмерных пленочных гетерокомпозиций

Кузнецов Г.Д., Сергиенко А.А., Симакин С.Б.
ионно
электронов
ионов
поверхности
тока
пленки
травления
пленок
рис
ионами
вторичных
материала
эмиссии
обработки
энергии
кремния
частиц
зависимости
электронной
иит
аргона
плазмы
процессов
изменение
металлов
определяется
процесса
материалов
результате
травлении
толщины
изменения
подложки
sio2
диэлектриков
ионной
контроля
зависимость
процессе
диэлектрика
плазменной
ток
нанесения
бомбардирующих
потока
диоксида
см2
структуры
величины
энергия
წელი:
2012
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 227.64 MB
0 / 0
russian, 2012
5
Успехи ядерной химии

Успехи ядерной химии

Лаврухина А.К.
элементов
ядер
энергии
изотопов
частиц
реакции
ядра
нейтронов
ядерных
деления
урана
реакций
мэе
атомных
радиоактивных
энергией
распада
ядерные
элемента
рис
ядерной
различных
изотопы
частицы
действием
сечения
настоящее
химических
числа
число
протонов
сечение
полураспада
тяжелых
частицами
нейтронами
элементы
энергия
наиболее
излучения
протонами
ядрами
высокой
ядро
новых
области
радиоактивного
зависимости
продуктов
больших
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 4.25 MB
0 / 0
russian
6
Многочастичные взаимодействия при рассеянии медленных ионов поверхностью металла

Многочастичные взаимодействия при рассеянии медленных ионов поверхностью металла

Евстифеев В.В.
ионов
рис
энергии
рассеяния
рассеянных
мишени
атомов
взаимодействия
иона
поверхностью
энергий
падения
рассеяние
поверхности
частиц
модели
области
столкновений
угол
атомами
энергетические
зависимость
спектры
энергетических
распределения
евстифеев
потенциала
парных
зависимости
вольфрама
пика
пиков
мишень
потенциал
решетки
металлов
спектрах
спектров
ион
монокристалла
углов
энергия
моделирование
бомбардировки
молибдена
первичных
тяжёлых
значений
интенсивности
рассеянии
წელი:
2009
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 5.71 MB
0 / 0
russian, 2009
7
Физические основы ионно-лучевых технологий Часть 1 Ионно-электронная эмиссия

Физические основы ионно-лучевых технологий Часть 1 Ионно-электронная эмиссия

Борисов А.М., Машкова Е.С.
электронов
ионов
рис
энергии
частиц
мишени
эмиссии
атома
рассеяния
частицы
иона
ионно
столкновения
зависимости
облучения
поверхности
кэв
атомов
электронной
взаимодействия
энергия
радиационных
системе
зависимость
ионами
падения
тела
скорости
графита
твердого
вторичных
ионного
мишень
угла
ионизации
оже
определяется
т.е
экранирования
эмиссия
материалов
облучении
потенциала
кинетической
коэффициента
потери
сечения
коэффициент
нарушений
отдачи
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 2.46 MB
0 / 0
russian
8
Исследование технологических режимов плазменного ионно-химического травления на установке "Caroline PE15" [Электронный ресурс] : электрон. учеб.-метод. пособие

Исследование технологических режимов плазменного ионно-химического травления на установке "Caroline PE15" [Электронный ресурс] : электрон. учеб.-метод. пособие

Волков А. В.
травления
материала
рис
поверхности
плазмы
ионов
пхт
скорость
газа
атомов
частиц
распыления
скорости
процесса
материалов
управления
системы
разряда
энергии
энергия
реакции
установки
происходит
разряд
кремния
определяется
молекул
мощности
давления
травление
результате
ионной
поля
ионно
камеры
ионного
активных
ихт
плазменного
тока
процесс
рабочего
молекулы
химически
ионизации
плазме
система
состояние
электронов
газов
წელი:
2018
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 2.55 MB
0 / 0
russian, 2018
9
Осаждение тонких пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков в технологии микроэлектроники

Осаждение тонких пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков в технологии микроэлектроники

Григорьев Ф.И.
пленок
ионно
распыления
мишени
ионов
пленки
поверхности
осаждения
нанесения
атомов
материала
частиц
газа
подложки
мишень
энергии
энергия
распыленных
осаждение
плазмы
тонких
плазменного
материалов
процесса
скорость
разряда
ионного
происходит
распыление
тока
подложка
процесс
плазмохимического
пучков
металлов
определяется
подложке
подложку
рис
соединений
устройства
атома
давление
кремния
реакции
вещества
коэффициент
плотности
плотность
результате
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 592 KB
0 / 0
russian
11
Технология материалов электронной техники: ионные процессы

Технология материалов электронной техники: ионные процессы

Билалов Б.А. (сост.)
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 185 KB
0 / 0
russian
12
Процессы в газовом разряде

Процессы в газовом разряде

wmf
unknown
ионов
энергии
материала
частиц
электронов
энергия
ионизации
атомов
иона
поля
рис
поверхности
число
газа
лавины
поле
разряда
скорость
электрона
энергию
электрического
обработки
результате
столкновения
внедренных
дефектов
ион
столкновений
exp
взаимодействия
движения
ионами
коэффициент
материалов
процесс
процессов
частицы
аргона
ионы
ударной
электронной
электроны
атом
атомных
зависит
катода
лавин
лавине
ენა:
russian
ფაილი:
DOC, 745 KB
0 / 0
russian
13
Угловые распределения атомов при распылении одно и двухкомпонентных материалов(Автореферат)

Угловые распределения атомов при распылении одно и двухкомпонентных материалов(Автореферат)

Патракеев А.С.
წელი:
2006
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 557 KB
0 / 0
russian, 2006
14
Моделирование методом Монте-Карло

Моделирование методом Монте-Карло

Курнаев В.А., Трифонов Н.Н.
частиц
мишени
энергии
частицы
атомов
энергия
взаимодействия
столкновения
определяется
поверхности
связи
атома
отклонения
параметров
поверхность
пробега
распределения
рассеяния
свободного
углом
ϕ
отраженных
полное
потери
потерь
расстояние
сечение
атомных
бомбардирующих
веществе
выбирается
движения
длина
зависимость
налетающей
налетающих
неупругие
падения
параметр
получить
потенциал
провести
распыления
расчет
системе
считается
угол
экранировки
энергией
bi2
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 176 KB
0 / 0
russian
16
Станислав Лем. Мегабитовая бомба

Станислав Лем. Мегабитовая бомба

количество
бомба
идеи
информации
искусство
направления
науки
постоянно
сети
теория
вселенную
гипотезы
глупости
году
данных
желания
загрязняют
заявления
знаний
зрения
ибо
кот
миллиардов
многочисленные
моды
мышей
направлений
нейронов
первоначально
передатчиков
периодических
приспособления
прошлом
рынке
связи
сделают
сеть
считаю
т.п
точки
точных
физики
явления
являются
artileсt
astronomy
batman
discover
einschaltquoten
fiction
ენა:
russian
ფაილი:
TXT, 20 KB
0 / 0
russian