შეწირულობა 15 სექტემბერს 2024 – 1 ოქტომბერს 2024
თანხის შეგროვების შესახებ
წიგნების ძებნა
წიგნები
შეწირულობა:
65.2% ამოწურულია
შესვლა
შესვლა
ავტორიზებულ მომხმარებლებს აქვთ წვდომა:
პერსონალური რეკომენდაციები
Telegram ბოტი
ჩამოტვირთვის ისტორია
გაგზავნეთ Email-ზე ან Kindle-ზე
კრებულების მართვა
შენახვა რჩეულებში
პირადი
წიგნის მოთხოვნა
შესწავლა
Z-Recommend
წიგნების სარჩევი
ყველაზე პოპულარული
კატეგორია
მონაწილეობა
დახმარება
ატვირთვები
Litera Library
ქაღალდის წიგნების შეწირვა
ქაღალდის წიგნების დამატება
Search paper books
ჩემი LITERA Point
საკვანძო სიტყვების ძებნა
Main
საკვანძო სიტყვების ძებნა
search
1
Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET
Springer International Publishing
Iraj Sadegh Amiri
,
Hossein Mohammadi
,
Mahdiar Hosseinghadiry
gate
voltage
devices
mesfet
device
silicon
drain
threshold
yð
analytical
subthreshold
ð5
electron
ð4
effect
mosfets
boundary
current
equation
analysis
oxide
mosfet
scaling
classical
effects
ð3
solution
modeling
mesfets
transistor
dimensional
function
λnyð
semiconductor
simulation
swing
depleted
layer
technology
transistors
εsi
vds
vgs
surface
zð
values
triple
parameters
substrate
circuits
წელი:
2019
ენა:
english
ფაილი:
PDF, 3.59 MB
თქვენი თეგები:
0
/
0
english, 2019
1
მიჰყევით
ამ ბმულს
ან Telegram-ში მოძებნეთ „@BotFather“ ბოტი
2
გაგზავნეთ ბრძანება /newbot
3
შეიყვანეთ თქვენი ბოტის სახელი
4
შეიყვანეთ მომხმარებლის სახელი ბოტისთვის
5
დააკოპირეთ BotFather-ისგან ბოლო შეტყობინება და ჩასვით აქ
×
×